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COLOQUIO DEL 10/05: "Efectos de irradiación sobre sistemas neuromórficos y dispositivos de memoria no volátiles relacionados"

1) TÍTULO:
Efectos de irradiación sobre sistemas neuromórficos y dispositivos de memoria no volátiles relacionados

2) ORADOR y FILIACIÓN:
Juan Claudio Nino, Profesor, University of Florida – USA. Profesor invitado del Programa Maldacena.

3) RESUMEN:
Actualmente se necesitan estrategias informáticas alternativas para abordar el crecimiento exponencial de las necesidades de procesamiento y datos de tecnologías avanzadas. Los paradigmas convencionales de von Neumann no pueden abordar este desafío debido a la latencia inherente que surge al transportar datos entre la memoria y las unidades de procesamiento. La computación neuromórfica enfoca este desafío mediante el uso de elementos de circuito de conmutación resistivo, generalmente denominados memristores, el que ofrecen características duales de computación y memoria.
Desarrollar materiales con un comportamiento de conmutación resistivo estable y bien definido es clave para potenciar la computación neuromórfica basada en memristores. Además, para determinadas aplicaciones, comprender los efectos de la irradiación ionizante en el rendimiento del dispositivo es de primordial importancia.

En este coloquio presentaremos avances recientes en el desarrollo de materiales memristivos estables que exhiben un comportamiento de conmutación resistiva complementaria (CRS). Para dispositivos basados en nanocables compuestos formados por un núcleo conductor y HfO2 como capa memristiva, presentaremos curvas I-V, respuesta a pulsos, resistencia cíclica y retención. Además, contrastaremos el rendimiento previo y posterior a la irradiación de dispositivos de memoria no volátil (NVM) basados en condensadores y memristores ferroeléctricos de HfO2. Presentaremos la caracterización eléctrica in situ en función de los experimentos de irradiación gamma y de neutrones realizados en el Reactor de Entrenamiento y la Instalación de Radiación (UFTR) de la Universidad de Florida, donde las muestras fueron irradiadas con dosis de hasta 10 Mrad, un valor que es al menos diez veces el total de la dosis ionizante esperada en las aplicaciones más estrictas. Se discutirán las perspectivas de la computación neuromórfica y, en particular, las necesidades de materiales, los desafíos y las oportunidades para aplicaciones.

4) MINI-BIO DEL ORADOR:
El Dr. Juan Claudio Nino es profesor del Departamento de Ciencia e Ingeniería de Materiales de la Universidad de Florida (UF) en Gainesville, FL – EE.UU. Obtuvo su título de Bachelor en Ingeniería Mecánica en 1997 en la Universidad de Los Andes (Bogotá, COLOMBIA), y su Ph.D. en Ciencia e Ingeniería de Materiales en 2002 de la Universidad Estatal de Pensilvania. Después de una estadía posdoctoral estudiando películas delgadas ferroeléctricas en el Instituto de Investigación de Materiales (State College, PA – EE.UU.), se unió a la UF en el otoño de 2003. El Grupo de Investigación Nino (NRG) ha establecido líneas de investigación sobre cerámicas funcionales y materiales bio - inspirados. Es autor de más de 150 publicaciones y siete patentes. El enfoque de investigación actual incluye la optimización y el desarrollo de materiales funcionales avanzados para: (a) conversión y almacenamiento de energía, (b) materiales en ambientes extremos, (c) redes neuronales y (d) semiconductores y centelladores para la detección de radiación. Ha recibido los premios CAREER y American Competitiveness and Innovation de la Fundación Nacional de Ciencias de EE. UU. En 2014 recibió el premio Fulbright US Scholar Innovation and Technology del Departamento de Estado de EE.UU. En 2016 se desempeñó como Experto dentro de la División de Investigación de Materiales de la Fundación Nacional de Ciencias de EE. UU. Es editor del Journal of the American Ceramics Society y editor adjunto del Journal of Electroceramics. En 2017, las Academias Nacionales de EE. UU. y el Departamento de Estado de EE. UU. le otorgaron la Beca de Ciencias Jefferson. Desde 2020, es miembro del Comité Asesor Técnico de Tecnologías Emergentes del Departamento de Comercio de EE. UU.

INFORMACIÓN DEL COLOQUIO IB
Viernes 10/5, 14.30hs.
Duración aproximada: 50 min de exposición y luego se habilita un tiempo para preguntas.

LUGAR Y E-LUGAR:
Salón de Actos del Instituto Balseiro. Av. Bustillo km 9,5, San Carlos de Bariloche.
Transmisión en vivo por el canal de YouTube "Instituto Balseiro Coloquios": https://bit.ly/balseirocoloquios
Contacto: Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo.